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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(热忱用来形容什么词，热忱用来形容什么事物wéi)存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已热忱用来形容什么词，热忱用来形容什么事物经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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